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用于提供等离子体至处理腔室的装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380063572.8
  • IPC分类号:H01L21/205
  • 申请日期:
    2013-11-27
  • 申请人:
    应用材料公司
著录项信息
专利名称用于提供等离子体至处理腔室的装置
申请号CN201380063572.8申请日期2013-11-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-08-12公开/公告号CN104838476A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人应用材料公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人建德·高;海曼·W·H·拉姆
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国;赵静
摘要
用于提供等离子体至处理腔室的装置可包含:电极;第一接地板,所述第一接地板设置于所述电极下方且定义出介于所述电极与所述第一接地板之间的空腔;电性绝缘体,所述电性绝缘体设置于所述电极与所述第一接地板之间以避免所述电极直接接触于所述第一接地板;第二接地板,所述第二接地板设置于所述第一接地板下方且定义出第一通道;多个第一通孔,所述多个第一通孔设置成通过所述第一接地板以流体性地耦接所述通道与所述空腔;第一气体进气口,所述第一气体进气口耦接至所述第一通道;第三接地板,所述第三接地板设置于所述第二接地板下方且定义出第二通道;多个导管,所述导管设置成通过所述接地板以将所述空腔流体性地耦接至位于所述第三接地板下方的区域;多个气体出气口孔,所述多个气体出气口孔通过所述第三接地板以将所述第二通道流体性地耦接至所述第三接地板下方的所述区域;以及第二气体进气口,所述第二气体进气口耦接至所述第二通道。

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