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LDMOS晶体管及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410425848.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-08-26
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称LDMOS晶体管及其形成方法
申请号CN201410425848.9申请日期2014-08-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-30公开/公告号CN105448990A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人程勇;蒲贤勇;王海强
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人应战;骆苏华
摘要
一种LDMOS晶体管及其形成方法,所述LDMOS晶体管,包括:半导体衬底,半导体衬底具有第一掺杂类型;位于半导体衬底内的若干第一沟槽;位于若干第一沟槽的侧壁和底部暴露的半导体衬底表面内以及相邻第一沟槽之间的半导体衬底表面内的漂移区,所述漂移区具有第二掺杂类型;填充满第一沟槽的第一浅沟槽隔离结构;位于漂移区一侧的半导体衬底内的体区;位于所述半导体衬底上的栅极结构,所述栅极结构横跨覆盖部分所述体区、漂移区和与体区距离最近的一个第一浅沟槽隔离结构的表面;在栅极结构一侧的体区内形成源区;在与体区距离最远的一个第一浅沟槽隔离结构一侧的漂移区内形成漏区。LDMOS晶体管具有较长的导通沟槽的长度。

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