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发光二极管的制造设备与方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200980135714.0
IPC分类号：H01L21/268;H01L33/32
申请日期：
2009-09-21
申请人：
QMC株式会社;柳炳韶

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	发光二极管的制造设备与方法
申请号	CN200980135714.0	申请日期	2009-09-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-21	公开/公告号	CN102388436A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/268 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/268 应用电磁辐射的，例如激光辐射〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;8;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	QMC株式会社;柳炳韶	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	QMC株式会社,柳炳韶	当前权利人	QMC株式会社,柳炳韶
发明人	柳炳韶
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	林锦辉;陈英俊

摘要

本发明公开了一种LED的制造设备和方法，所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离，所述设备包括：激光束源，用于发射激光束；网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

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