一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010201666.9
IPC分类号：H01Q21/00;H05K3/30
申请日期：
2020-03-20
申请人：
上海无线电设备研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法
申请号	CN202010201666.9	申请日期	2020-03-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-07	公开/公告号	CN111384601A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q21/00 天线阵或系统（改变天线或天线系统辐射波的指向或方向图形的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;2;1;/;0;0;;;H;0;5;K;3;/;3;0查看分类表>
申请人	上海无线电设备研究所	申请人地址	上海市闵行区中春路1555号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海无线电设备研究所	当前权利人	上海无线电设备研究所
发明人	王帅;陈思;杜娟;范瑜
代理机构	上海元好知识产权代理有限公司	代理人	徐雯琼;章丽娟

摘要

本发明公开了一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法，该方法包含：将电连接器和绝缘子以温度A℃±10℃焊接在TR组件盒体上；将电阻电容以温度B℃±10℃焊接在印制板上，其中，A℃≥B℃+20℃；将微带板和带有电容电阻的印制板以温度C℃±10℃焊接在TR组件盒体上，其中，B℃≥C℃+20℃；将带有芯片的钼铜垫片载体以温度D℃±10℃焊接在TR组件盒体上，其中，C℃≥D℃+20℃；对TR组件盒体气密性封装，将盖板焊接在TR组件盒体的顶部。其优点是：该方法采用多温度梯度装配的方式，使相邻温度梯度的焊接装配温度相差至少20℃，确保了所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险，避免了在装配过程中出现焊接重熔现象，提高了TR组件整体焊接装配的可靠性。

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