一种绝缘栅双极型晶体管及其自对准制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310151900.1
IPC分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L21/266
申请日期：
2013-04-27
申请人：
中国东方电气集团有限公司;江苏华创光电科技有限公司

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专利名称	一种绝缘栅双极型晶体管及其自对准制作方法
申请号	CN201310151900.1	申请日期	2013-04-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-13	公开/公告号	CN103390641A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/739 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/739 受场效应控制的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;6查看分类表>
申请人	中国东方电气集团有限公司;江苏华创光电科技有限公司	申请人地址	四川省成都市金牛区蜀汉路333号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国东方电气集团有限公司,江苏华创光电科技有限公司	当前权利人	中国东方电气集团有限公司,江苏华创光电科技有限公司
发明人	胡强;张世勇;樱井建弥
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	苏丹

摘要

本发明的涉及电力电子技术领域的半导体器件，具体为一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区，第二导电类型基区内设有带有横向电子通路单元第一导电类型发射区，在减小器件窗口的设计下，电极孔刻蚀时由于光刻机的精度原因，有时候电极不能和发射极的一边接触，导致器件一半失效，而本发明横向的第二单元发射区的设置则能实现在任何情况下电极和两边发射极都能接触，这样增加了器件的可靠性。

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