神经形态器件和存储器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202010996175.8
IPC分类号：G11C11/54;G11C13/00;G06N3/063
申请日期：
2020-09-21
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	神经形态器件和存储器件
申请号	CN202010996175.8	申请日期	2020-09-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-18	公开/公告号	CN112992226A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/54 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/54 应用模仿生物细胞的元件的，例如，模仿神经细胞的元件	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;5;4;;;G;1;1;C;1;3;/;0;0;;;G;0;6;N;3;/;0;6;3查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李光振
代理机构	北京市立方律师事务所	代理人	李娜;王凯霞

摘要

提供一种神经形态器件和存储器件，所述神经形态器件包括：控制器，被配置为通过将二进制数据的每个位转换为三进制位来生成三进制数据；以及存储器件，被配置为存储所述三进制数据，其中，所述存储器件包括：第一存储单元阵列，所述第一存储单元阵列包括形成在下字线与位线之间的第一存储单元，其中，每个所述第一存储单元包括第一开关元件和第一电阻元件；以及第二存储单元阵列，所述第二存储单元阵列包括形成在上字线与所述位线之间的第二存储单元，其中，每个所述第二存储单元包括第二开关元件和第二电阻元件，其中，所述三进制数据的每个位由存储在所述第一存储单元中的数据位和存储在所述第二存储单元中的屏蔽位的组合来标识。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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