晶片的生成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110480247.8
IPC分类号：B28D5/04;B28D5/00;B23K26/53;H01L21/02
申请日期：
2021-04-30
申请人：
株式会社迪思科

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶片的生成方法
申请号	CN202110480247.8	申请日期	2021-04-30
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-02	公开/公告号	CN113580398A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B28D5/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B28 加工水泥、黏土或石料 B28D 加工石头或类似石头的材料（采矿或采石用的机械或方法入E21C） B28D5/00 宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备（磨削或抛光加工入B24；用于艺术目的加工入B44B；用非机械方法的入C04B 41/00；单晶的非机械方法后处理入C30B 33/00）〔3〕 B28D5/04 用非旋转式工具的，例如往复式工具	IPC分类号	B;2;8;D;5;/;0;4;;;B;2;8;D;5;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;5;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	株式会社迪思科	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社迪思科	当前权利人	株式会社迪思科
发明人	邱晓明
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	于靖帅;乔婉

摘要

本发明提供晶片的生成方法，在通过从SiC锭的剥离而生成晶片时，缩短剥离时间。晶片的生成方法包含如下的晶片生成工序：向形成有剥离层的锭的端面喷射超声波水而将晶片从锭剥离，从而生成晶片。因此，与同时对锭的端面的整个面传递超声波振动而将晶片剥离的结构相比，能够缩短剥离时间，并且能够使超声波水喷射喷嘴和超声波水喷射喷嘴的超声波振动板小型化。由此，能够实现与晶片的剥离相关的效率化和成本的降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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