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多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOInMOSFET器件结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110134448.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/49;H01L29/06
  • 申请日期:
    2011-05-24
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅SSGOInMOSFET器件结构
申请号CN201110134448.9申请日期2011-05-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-10-05公开/公告号CN102208448A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号西安电子科技大学 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人宋建军;王冠宇;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;周春宇
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅台阶式埋氧SSGOInMOSFET器件结构,其技术方案在于该器件自上而下的结构为:多晶Si1-xGex/金属并列覆盖双栅结构;栅绝缘层;本征或者p-掺杂应变Si电子量子阱层;p掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层;台阶式埋氧层;p-掺杂的衬底,所述p-掺杂的单晶Si(100)衬底由p弛豫Si1-yGey缓冲层、p弛豫SiGe渐变层以及单晶Si三部分组成。该器件结构简单,与常规体SiSOI工艺完全兼容,并集成了“栅极工程”“应变工程”以及“衬底工程”三者的优点。

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