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熔丝结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710160423.3
IPC分类号：H01L23/62
申请日期：
2017-03-17
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	熔丝结构及其形成方法
申请号	CN201710160423.3	申请日期	2017-03-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-09	公开/公告号	CN108630664A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/62 防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	冯军宏;甘正浩
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	徐文欣;吴敏

摘要

一种熔丝结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成熔丝层和覆盖熔丝层的层间介质层，所述熔丝层包括熔断区；刻蚀熔丝层熔断区上的层间介质层以在层间介质层中形成暴露出熔丝层熔断区的通孔，且所述刻蚀层间介质层的工艺还对熔丝层熔断区的表面进行刻蚀。所述方法提高了熔丝结构的性能。

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