与标准集成电路工艺兼容的可见光或紫外光传感器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN200720038863.3
IPC分类号：G01D5/26
申请日期：
2007-06-25
申请人：
卢其伟;王开

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法律信息

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著录项信息

专利名称	与标准集成电路工艺兼容的可见光或紫外光传感器
申请号	CN200720038863.3	申请日期	2007-06-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01D5/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01D 非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试 G01D5/00 用于传递传感构件的输出的机械装置；将传感构件的输出变换成不同变量的装置，其中传感构件的形式和特性不限制变换装置；非专用于特定变量的变换器（G01D 3/00优先；专门适用于给出除变量的瞬时值以外的结果的仪表入G01D 1/00）〔6〕 G01D5/26 采用光学装置，即应用红外光、可见光或紫外光	IPC分类号	G;0;1;D;5;/;2;6查看分类表>
申请人	卢其伟;王开	申请人地址	江苏省常州市武青路9号神鸡大厦5楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	卢其伟,王开	当前权利人	卢其伟,王开
发明人	卢其伟;王开
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型涉及一种与标准集成电路工艺兼容的可见光或紫外光传感器，其包括P型衬底、在P型衬底上设有N型扩散区、设于N型扩散区周围及中央的P型扩散区、在N型扩散区上经P型注入和退火后形成的正极区域；正极区域的上表面为受光区；P型掺杂区设于正极区域一侧，作为可见光或紫外光传感器的正极的欧姆接触；N型掺杂区与N型扩散区直接相连，作为可见光或紫外光传感器的负极的欧姆接触；P型区域与N型扩散区之间形成反向P－N结隔离。本实用新型的可见光或紫外光传感器可利用标准半导体加工线和标准集成电路工艺进行加工，便于光电集成电路的批量生产。

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