用于降低入射光反射的单晶半导体衬底的织构方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310381414.9
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
申请日期：
2013-06-27
申请人：
罗门哈斯电子材料有限公司

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专利名称	用于降低入射光反射的单晶半导体衬底的织构方法
申请号	CN201310381414.9	申请日期	2013-06-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-15	公开/公告号	CN103515481A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;C;3;0;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	罗门哈斯电子材料有限公司	申请人地址	美国新泽西州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	太阳化学公司	当前权利人	太阳化学公司
发明人	R·K·巴尔;C·奥康纳;P·W·辛克利;G·R·阿拉戴斯
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陈哲锋

摘要

用于降低入射光反射的单晶半导体衬底的织构方法。在碱性浴中织构单晶半导体衬底，在其表面形成锥形结构以降低入射光反射，提高晶片的光吸收。碱性浴包括化合物，其阻止锥形结构间平面区域的形成以提高光吸收。提供一种方法，所述方法包括：a)提供单晶半导体衬底；b)提供一种溶液，所述溶液包括一种或多种分子量不小于170g／mol并且闪燃点不低于75℃的烷氧基二醇，一种或多种碱性化合物和一种或多种除氧剂，所述除氧剂的量足以降低溶液中氧浓度到1000ppb或更低；和c)将单晶半导体衬底接触所述溶液，各向异性地织构单晶半导体衬底。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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