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一种二氧化锡纳米花及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610314087.9
  • IPC分类号:C01G19/02
  • 申请日期:
    2016-05-13
  • 申请人:
    上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
著录项信息
专利名称一种二氧化锡纳米花及其制备方法
申请号CN201610314087.9申请日期2016-05-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-09-28公开/公告号CN105967225A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G19/02IPC分类号C;0;1;G;1;9;/;0;2查看分类表>
申请人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司申请人地址
上海市闵行区江川东路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司当前权利人上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
发明人何丹农;林琳;王艳丽;杜以博;徐少洪;张春明;金彩虹
代理机构上海东方易知识产权事务所代理人唐莉莎
摘要
本发明涉及一种氧化锡纳米花及其制备方法。该二氧化锡纳米花由纳米片组成,单片片层厚度在10纳米~20纳米之间,多片二氧化锡纳米片沿同一方向堆叠,形成一种多层、有序的堆叠体。该纳米花为分等级结构,单分散性和结晶性良好,比表面积大。其具体制备方法如下:将亚锡盐或锡盐溶于去离子水中搅拌溶解,随后加入碱液,搅拌均匀后,通过一步水热处理得到多级结构的二氧化锡纳米花。该制备方法工艺和流程简便,参数可调范围宽,可重复性强,成本低,过程不使用有毒有机溶剂,对环境无污染,是一种具备商业前景的制备方法。所制备的二氧化锡纳米花在污染气体检测、能源存储、新能源制备等领域都有较高的应用价值。

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