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锂离子二次电池及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200480032941.8
  • IPC分类号:H01M10/40;H01M4/02
  • 申请日期:
    2004-12-08
  • 申请人:
    松下电器产业株式会社
著录项信息
专利名称锂离子二次电池及其制造方法
申请号CN200480032941.8申请日期2004-12-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2006-12-13公开/公告号CN1879249
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M10/40IPC分类号H;0;1;M;1;0;/;4;0;;;H;0;1;M;4;/;0;2查看分类表>
申请人松下电器产业株式会社申请人地址
日本国大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人松下电器产业株式会社当前权利人松下电器产业株式会社
发明人林徹也;大畠积
代理机构上海市华诚律师事务所代理人孙敬国;董红曼
摘要
本发明的锂离子二次电池具有电极群,上述电极群包括(1)卷芯;(2)由正极芯材及上述正极芯材上附载的正极活性物质层所构成的正极;(3)由负极芯材及上述负极芯材上附载的负极活性物质层所构成的负极;以及(4)形成于上述正极及上述负极的至少一方的电极上的多孔膜。这里,多孔膜由填料和粘合剂构成,正极及负极卷绕在卷芯上。在正极及/或负极的起卷侧,设置有活性物质层仅附载在芯材单面的区域,并比在活性物质层仅附载在芯材单面的区域更靠近起卷侧处,设置有芯材的两面均未附载活性物质层的部分。通过电极群的此种构造,可以降低多孔膜的破损,提高其安全性。

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