多层碳化硅/二氧化硅/金刚石复合自支撑膜及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010561139.9
IPC分类号：C01B32/984;C01B33/12;C01B32/26
申请日期：
2020-06-18
申请人：
太原理工大学

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著录项信息

专利名称	多层碳化硅/二氧化硅/金刚石复合自支撑膜及制备方法
申请号	CN202010561139.9	申请日期	2020-06-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-09	公开/公告号	CN111747414A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B32/984 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991） C01B32/90 碳化物〔2017.01〕 C01B32/914 单一元素碳化物〔2017.01〕 C01B32/956 碳化硅〔2017.01〕 C01B32/97 通过 SiO or SiO2制备〔2017.01〕 C01B32/984 通过硅元素制备〔2017.01〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;2;/;9;8;4;;;C;0;1;B;3;3;/;1;2;;;C;0;1;B;3;2;/;2;6查看分类表>
申请人	太原理工大学	申请人地址	山西省太原市迎泽西大街79号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	太原理工大学	当前权利人	太原理工大学
发明人	马永;于盛旺;郑可;马丹丹;高洁;王永胜;申艳艳
代理机构	太原倍智知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张宏

摘要

本发明为一种多层碳化硅/二氧化硅/金刚石复合自支撑膜，属于化学气相沉积技术领域。该自支撑膜由SiC/SiO2梯度复合层与金刚石膜依次交替叠加而成，且顶层和底层均为SiC/SiO2梯度复合层。制备时，先在石墨表面沉积一层SiC层，然后利用微波氧等离子体刻蚀部分SiC形成SiC/SiO2梯度复合层，随后在其表面沉积金刚石膜，之后再重复制备SiC层、SiC/SiO2梯度复合层、沉积金刚石膜的操作过程，最后将石墨基体氧化去除，即可获得多层SiC/SiO2/金刚石复合的自支撑膜。该复合自支撑膜兼具高硬度，高热导率，高光学透过率以及高温抗氧化能力等诸多优异的性能。

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