半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510067474.9
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60
申请日期：
2005-04-25
申请人：
三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN200510067474.9	申请日期	2005-04-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-11-02	公开/公告号	CN1691318
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司	当前权利人	三洋电机株式会社,关东三洋半导体股份有限公司
发明人	落合公
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李贵亮;杨梧

摘要

一种封装型半导体装置及其制造方法，可提高芯片尺寸封装型半导体装置及其制造方法的可靠性。准备形成有焊盘电极(11)的半导体衬底(10)，并在半导体衬底(10)的表面形成由环氧树脂构成的第一保护层(20)。然后，形成自半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(12)。然后，形成通过通孔(12)与焊盘电极(11)电连接且自通孔(12)延伸至半导体衬底(10)的背面的配线层(13)。然后，形成第二保护层(14)、导电端子(15)，再通过切割将半导体衬底(10)分离为各个半导体芯片(10A)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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