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一种AlN薄膜的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110032642.X
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16
申请日期：
2021-01-12
申请人：
有研工程技术研究院有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种AlN薄膜的制备方法
申请号	CN202110032642.X	申请日期	2021-01-12
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-06-01	公开/公告号	CN112877657A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6查看分类表>
申请人	有研工程技术研究院有限公司	申请人地址	北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	有研工程技术研究院有限公司	当前权利人	有研工程技术研究院有限公司
发明人	梁晓平;门阔;刘皓;连紫薇;魏峰;李洋
代理机构	中国有色金属工业专利中心	代理人	范威

摘要

本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N2混合气，通过改变两种气体比例进而调控AlN薄膜取向。该方法制得的AlN薄膜(100)择优取向生长，且薄膜质量优良，提高了AlN薄膜制备效率，同时节约了成本。

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