环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN201510113902.0
IPC分类号：H01S5/183
申请日期：
2015-03-16
申请人：
长春理工大学

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专利名称	环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器
申请号	CN201510113902.0	申请日期	2015-03-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-08	公开/公告号	CN104767120A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	长春理工大学	申请人地址	吉林省长春市朝阳区卫星路7089号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长春理工大学	当前权利人	长春理工大学
发明人	晏长岭;李鹏;史建伟;冯源;郝永芹;徐莉;李雨霏;郭运峰
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所（普通合伙）	代理人	陶尊新

摘要

环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术缺乏腔内空心发光的垂直腔面发射半导体激光器。本发明其特征在于，上电极、氧化物限制层的形状为内径相同的环形，所述环形的宽度为3～5μm，所述环形的外径为115～125μm；欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱，该空心圆柱的外径与所述环形的外径相同，该空心圆柱的内径为85～95μm；在所述空心圆柱中有高阻区，高阻区的底面与下分布布拉格反射镜接触，高阻区的顶面的高度高于上分布布拉格反射镜的内镜面、低于上分布布拉格反射镜的外镜面。该激光器的谐振腔呈环柱形，出射光成为空心激光束。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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