一种In2Te5单晶及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010453439.5
IPC分类号：C30B9/06;C30B29/46;C30B29/64;C30B35/00
申请日期：
2020-05-26
申请人：
中国科学院兰州化学物理研究所;青岛市资源化学与新材料研究中心（中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心）

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专利名称	一种In2Te5单晶及其制备方法
申请号	CN202010453439.5	申请日期	2020-05-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-07-24	公开/公告号	CN111441080A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B9/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B9/00 使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；用区域熔融法的入C30B 13/00；晶体提拉法入C30B 15/00；在浸入的晶种上的入C30B 17/00；液相外延生长法入C30B 19/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B9/04 熔融溶液冷却法〔3〕 C30B9/06 使用晶体组成之一种组分作溶剂的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;9;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;4;;;C;3;0;B;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院兰州化学物理研究所;青岛市资源化学与新材料研究中心（中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心）	申请人地址	甘肃省兰州市城关区天水中路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院兰州化学物理研究所,青岛市资源化学与新材料研究中心（中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心）	当前权利人	中国科学院兰州化学物理研究所,青岛市资源化学与新材料研究中心（中国科学院兰州化学物理研究所青岛研究发展中心）
发明人	王道爱;于童童;周峰
代理机构	北京高沃律师事务所	代理人	赵晓琳

摘要

本发明涉及单晶制备技术领域，尤其涉及一种In2Te5单晶及其制备方法、In2Te5单晶薄膜及其制备方法与应用。所述In2Te5单晶的制备方法包括：将金属In和单质Te混合，得到混合原料；所述金属In和单质Te的摩尔比为1:5～10；将所述混合原料在真空条件下进行合成反应，所述合成反应的温度为720～750K；然后将反应所得体系降温至670～700K进行固液分离，得到In2Te5单晶。本发明制备的In2Te5单晶尺寸大、质量好，可用于制备高质量的In2Te5单晶薄膜，制得的In2Te5单晶薄膜可应用于光电探测器件、可饱和吸收体、润滑添加剂等领域。

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