基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410206672.8
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
申请日期：
2014-05-15
申请人：
华北电力大学

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专利名称	基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
申请号	CN201410206672.8	申请日期	2014-05-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-06	公开/公告号	CN103972416A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	华北电力大学	申请人地址	北京市昌平区朱辛庄北农路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华北电力大学	当前权利人	华北电力大学
发明人	谭占鳌;孙刚;屠逍鹤;侯旭亮
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	黄家俊

摘要

本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层，其中涉及的电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电子的有效注入；并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有发光颜色纯、制备工艺简单，成本低廉，实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产等特点。

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