加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种熔丝结构的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910078671.2
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/525
  • 申请日期:
    2019-01-28
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称一种熔丝结构的形成方法
申请号CN201910078671.2申请日期2019-01-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-31公开/公告号CN109830459A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人郭振强
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明提供一种熔丝结构的形成方法,在衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层及钝化层;在钝化层上形成熔丝通孔和焊垫通孔的光刻胶图形,按照光刻胶图形依次刻蚀钝化层和第二介质层,形成焊垫通孔及暴露第一金属层表面的熔丝通孔;在硅片表面依次沉积第三介质层、刻蚀停止层、第四介质层形成层叠结构;去除焊垫通孔上的层叠结构以及熔丝通孔上方与钝化层表面齐平的层叠结构;对熔丝通孔内的层叠结构刻蚀至露出熔丝通孔底部的第三介质层为止。本发明可以明显改善熔丝结构中金属层上介质层的均匀性,可以满足要求熔丝结构中金属上的介质层有高要求的需求。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供