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存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380032769.5
  • IPC分类号:G11C11/15
  • 申请日期:
    2013-06-11
  • 申请人:
    美光科技公司
著录项信息
专利名称存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制作方法
申请号CN201380032769.5申请日期2013-06-11
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-03-04公开/公告号CN104395964A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C11/15IPC分类号G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人美光科技公司申请人地址
美国爱达荷州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人美光科技公司当前权利人美光科技公司
发明人韦恩·I·肯尼;维托·库拉;斯蒂芬·J·克拉梅尔
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人路勇
摘要
本发明揭示存储器单元。所述存储器单元内的磁性区包含磁性子区与耦合器子区的交替结构。所述耦合器子区的耦合器材料以反铁磁方式耦合相邻磁性子区,且实现或促进所述相邻磁性子区所展现的垂直磁性定向。通过耦合器子区彼此间隔开的相邻磁性子区展现相反指向的磁性定向。所述磁性子区及耦合器子区可各自为经定制而以紧凑结构形成所述磁性区的厚度。可减少或消除从所述磁性区发射的磁性偶极场对所述存储器单元中的自由区的切换的干扰。本发明还揭示半导体装置结构、自旋扭矩转移磁性随机存取存储器STT‑MRAM系统及制作方法。

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