存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380032769.5
IPC分类号：G11C11/15
申请日期：
2013-06-11
申请人：
美光科技公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	存储器单元、半导体装置结构、存储器系统及制作方法
申请号	CN201380032769.5	申请日期	2013-06-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-04	公开/公告号	CN104395964A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	韦恩·I·肯尼;维托·库拉;斯蒂芬·J·克拉梅尔
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	路勇

摘要

本发明揭示存储器单元。所述存储器单元内的磁性区包含磁性子区与耦合器子区的交替结构。所述耦合器子区的耦合器材料以反铁磁方式耦合相邻磁性子区，且实现或促进所述相邻磁性子区所展现的垂直磁性定向。通过耦合器子区彼此间隔开的相邻磁性子区展现相反指向的磁性定向。所述磁性子区及耦合器子区可各自为经定制而以紧凑结构形成所述磁性区的厚度。可减少或消除从所述磁性区发射的磁性偶极场对所述存储器单元中的自由区的切换的干扰。本发明还揭示半导体装置结构、自旋扭矩转移磁性随机存取存储器STT‑MRAM系统及制作方法。

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