能够控制锭界面形状的单晶生长系统和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201580071803.9
IPC分类号：C30B15/28;C30B15/20;C30B29/06
申请日期：
2015-08-20
申请人：
LG矽得荣株式会社

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著录项信息

专利名称	能够控制锭界面形状的单晶生长系统和方法
申请号	CN201580071803.9	申请日期	2015-08-20
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-29	公开/公告号	CN107109687A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/28 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/20 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕 C30B15/22 被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制；晶体截面的控制〔3〕 C30B15/28 利用晶体或熔体重量变化的，例如浮称法〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;2;8;;;C;3;0;B;1;5;/;2;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	LG矽得荣株式会社	申请人地址	韩国庆尚北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG矽得荣株式会社	当前权利人	LG矽得荣株式会社
发明人	方仁植
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	李雪;姚开丽

摘要

本发明涉及一种在用丘克拉斯基方法生长单晶锭时控制生长界面形状的方法，该控制生长界面形状的方法包括：在将单晶生长过程的控制条件设定为使锭的界面成为目标形状之后开始生长单晶锭；通过设置在单晶锭的上部的负荷传感器测量在预定时间内生长的锭的重量来获得测量值；通过单晶锭的直径以及在预定时间内生长的单晶锭的高度来获得单晶锭重量的理论值，其中，单晶锭的直径通过设置在加工腔室外部的直径测量照相机在预定时间内测量；通过获得所述测量值和所述理论值之间的差异来预测生长中的单晶锭的生长界面形状；以及，通过比较单晶锭的预测界面形状和单晶锭的目标界面形状来改变在单晶锭生长期间的工艺条件。因此，由于在单晶锭的生长过程期间可以预测生长中的锭的界面形状，所以通过控制工艺条件，硅锭可以生长为目标界面形状。

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