首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

低电阻聚合物阵列熔断装置和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510006157.6
IPC分类号：H01H85/05;H01H85/02
申请日期：
2005-01-31
申请人：
库帕技术公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低电阻聚合物阵列熔断装置和方法
申请号	CN200510006157.6	申请日期	2005-01-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-08-03	公开/公告号	CN1649065
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01H85/05 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01H 电开关；继电器；选择器；紧急保护装置（接触电缆入H01B7/10；电解式自断续器入H01G9/18；紧急保护电路装置入H02H；无触点电子开关入H03K17/00） H01H85/00 电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置（由可熔材料的熔化而动作的开关入H01H 37/76；在配电盘上熔断器的配置或安装入H02B 1/18） H01H85/02 零部件 H01H85/04 熔断器，即保护装置的易耗部分，如熔丝管 H01H85/05 其组成部分〔5〕	IPC分类号	H;0;1;H;8;5;/;0;5;;;H;0;1;H;8;5;/;0;2查看分类表>
申请人	库帕技术公司	申请人地址	美国德克萨斯州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	库帕技术公司	当前权利人	库帕技术公司
发明人	J·L·W·本德;D·M·曼奥基安
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	崔幼平

摘要

一种低电阻的熔断器，其包括一层聚合物薄膜，在聚合物薄膜上形成的一层熔断件层，以及在熔断件层的相对的侧面上伸展并且连接到这些侧面上的第一和第二中间绝缘层。第一和第二中间绝缘层中至少一层包括一个从中穿过的开口，聚合物薄膜在开口中支承着熔断件层。可以与该熔断器结合起来使用一个散热器，加热件，以及熄灭电弧的介质，并且可以用一种粘接层压过程制作出该熔断器。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供