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多管组合曲率补偿低压带隙基准源

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110114054.7
  • IPC分类号:G05F3/30
  • 申请日期:
    2011-05-04
  • 申请人:
    四川大学
著录项信息
专利名称多管组合曲率补偿低压带隙基准源
申请号CN201110114054.7申请日期2011-05-04
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-12-28公开/公告号CN102298413A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F3/30
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IPC分类号G;0;5;F;3;/;3;0查看分类表>
申请人四川大学申请人地址
四川省成都市武侯区望江路29号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川大学当前权利人四川大学
发明人苏凯;龚敏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明属于模拟集成电路技术领域,其特征是提出了一种对带隙基准电压源进行曲率补偿的新方法,即多管组合技术。该技术是在现有的一阶带隙基准源的基础上,增加了可随工艺条件不同而改变n值的n对补偿电流支路,每一对都由一个以PMOS管为核心的灌电流支路和一个以NMOS管为核心的拉电流支路构成,该技术使曲率补偿在整个温度范围内对基准输出电压进行补偿,并产生2n+1个区域极值点,从而限定基准输出电压随温度变化曲线的幅度,使曲线更平缓,从而比普通一阶补偿基准电压源的温度特性有了较大幅度的提高,而且工艺适应性强,拓展了基准源的工作温度范围,降低了设计难度,且能在低电源电压下工作。

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