一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料

发明专利无效专利

申请号：
CN200310109661.X
IPC分类号：--
申请日期：
2003-11-18
申请人：
河北师范大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料
申请号	CN200310109661.X	申请日期	2003-11-18
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-11-10	公开/公告号	CN1545150
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	河北师范大学	申请人地址	河北省石家庄市裕华东路265号河北师范大学物理学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北师范大学	当前权利人	河北师范大学
发明人	唐贵德;刘兴民;刘力虎;赵旭;郝普;陈伟;侯登录;聂向富
代理机构	石家庄新世纪专利商标事务所有限公司	代理人	董金国

摘要

本发明涉及一种磁电阻材料及其制备方法，特别是一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料及其制备方法。该磁电阻材料的分子式为LaxSryAgzMnO3，其中0.6≤x≤0.7，0.1≤y≤0.16，z≤1-x-y，主要采用溶胶——凝胶法，在LaxSryMnO3的Sr位掺杂银元素。本发明解决了现有技术中存在的磁场灵敏度低、温区不合适、温区窄、磁电阻在室温附近随温度变化大等缺点，具有在室温状态下，该磁电阻材料磁电阻达到峰值且随温度的变化小、磁场灵敏度较高、磁电阻数值大等特点，且该制备方法工艺简单、反应温度低、所制备的产品性能稳定。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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