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含有掺杂高-k侧壁隔片的场效应晶体管的漏极/源极延伸结构

发明专利无效专利

申请号：
CN200380104614.4
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L21/225
申请日期：
2003-11-06
申请人：
先进微装置公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	含有掺杂高-k侧壁隔片的场效应晶体管的漏极/源极延伸结构
申请号	CN200380104614.4	申请日期	2003-11-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-01-11	公开/公告号	CN1720607
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2;5查看分类表>
申请人	先进微装置公司	申请人地址	英属开曼群岛大开曼岛变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格罗方德半导体公司	当前权利人	格罗方德半导体公司
发明人	T·费乌德尔;M·霍斯特曼;K·维乔雷克;S·克吕格尔
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟

摘要

场效应晶体管栅电极上的高-k电介质隔片组件和通过掺杂剂从高-k隔片组件向下面的半导体区域扩散而形成的延伸区一起增加了延伸区的电荷载流子密度。这样可以克服延伸区的电荷载流子密度大约限于掺杂剂的固溶度这一情况，从而在不过度减损晶体管性能的情况下允许有极浅的延伸区。

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