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三氯氢硅合成工艺及系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510120467.4
  • IPC分类号:C01B33/107
  • 申请日期:
    2015-03-19
  • 申请人:
    内蒙古盾安光伏科技有限公司
著录项信息
专利名称三氯氢硅合成工艺及系统
申请号CN201510120467.4申请日期2015-03-19
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2016-10-19公开/公告号CN106032275A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/107IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;1;0;7查看分类表>
申请人内蒙古盾安光伏科技有限公司申请人地址
内蒙古自治区巴彦淖尔市乌拉特后旗青山工业园区经三路与纬四路交叉口东南侧 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人巴彦淖尔聚光硅业有限公司当前权利人巴彦淖尔聚光硅业有限公司
发明人齐林喜;赵亮
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种三氯氢硅合成系统,包括合成炉、为合成炉供应与合成炉内外加硅粉反应HCL的HCL储罐、用于冷凝合成炉尾气的第一冷凝器、接收来自第一冷凝器冷凝后氯硅烷液体的冷凝料储罐、接收来自于冷凝器的不凝气的缓冲罐,分离提纯来自于冷凝料储罐的氯硅烷的分离提纯装置、氯硅烷储罐、汽化器、混合加热器、流化床反应器、第二冷凝器。本发明还提供了采用该三氯氢硅合成系统的三氯氢硅合成工艺。本发明将传统三氯氢硅合成过程中的副产品二氯二氢硅继续回床,减少物料损耗,降低尾气处理系统安全隐患。降低系统二氯二氢硅循环总量增长速度,同时也提高三氯氢硅转化率。

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