3DNAND存储器件、制造方法以及台阶校准方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710134787.4
IPC分类号：H01L27/11551;H01L27/11578;H01L23/544;H01L21/68
申请日期：
2017-03-08
申请人：
长江存储科技有限责任公司

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著录项信息

专利名称	3DNAND存储器件、制造方法以及台阶校准方法
申请号	CN201710134787.4	申请日期	2017-03-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-13	公开/公告号	CN106847822A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11551 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11551 以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人	长江存储科技有限责任公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长江存储科技有限责任公司	当前权利人	长江存储科技有限责任公司
发明人	吕震宇;宋立东;李勇娜;潘锋;戴晓望;刘丹;杨伟毅;杨士宁
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠

摘要

本方案提供的3D NAND存储器件，通过在台阶层设置多层台阶掩膜，并对每一层的台阶掩膜设置一个台阶标记，且，沿字线方向，每层台阶掩膜与台阶标记的间距均为第一预设值，用于实现对台阶的对齐校准，使得台阶不会因为层数的增加导致台阶的扭曲变形。除此，本方案将台阶层分成第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，将第一台阶区域用于放置真正的台阶，第二台阶区域用于放置台阶标记，这样能够合理的利用存储器件的空间，不会导致原存储器件体积的增加。并且，本方案可以选择在刻蚀台阶掩膜的同时，刻蚀出台阶标记，使得工艺更加简单。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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