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光刻曝光方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011414133.5
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2020-12-07
  • 申请人:
    华虹半导体(无锡)有限公司
著录项信息
专利名称光刻曝光方法
申请号CN202011414133.5申请日期2020-12-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-06公开/公告号CN112612180A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人华虹半导体(无锡)有限公司申请人地址
江苏省无锡市新吴区新洲路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华虹半导体(无锡)有限公司当前权利人华虹半导体(无锡)有限公司
发明人周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人戴广志
摘要
本申请涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括:将晶片的目标面划分为曝光阵列,所述曝光阵列包括若干个曝光区域;确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域;依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光,在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形;对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光,在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法,可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期,因光学系统温度不稳定,导致机台对光刻表现的判断的问题。

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