一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910728452.4
IPC分类号：G01N27/12;B82Y15/00;B82Y35/00
申请日期：
2019-08-08
申请人：
东北大学

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专利名称	一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法
申请号	CN201910728452.4	申请日期	2019-08-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-05	公开/公告号	CN110412088A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;5;/;0;0查看分类表>
申请人	东北大学	申请人地址	辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东北大学	当前权利人	东北大学
发明人	沈岩柏;赵思凯;钟祥熙;翁绍涵;韩聪;方萍;魏德洲
代理机构	大连东方专利代理有限责任公司	代理人	周媛媛;李馨

摘要

本发明公开了一种基于Au掺杂In2O3纳米球的黄药气体气敏元件及其制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以硝酸铟为铟源，氯金酸为金源，采用水热法制备具有六方相晶体结构、直径为75～125nm的Au掺杂In2O3纳米球。将制备的Au掺杂In2O3纳米球分散在乙醇溶液中，制备成气敏料浆，然后将其均匀地涂覆在电极元件表面，制备成气敏元件。本发明所述的Au掺杂In2O3纳米球合成方法简单、成本低、无污染、结构稳定。本发明所述的气敏元件灵敏度高、具有良好的响应和恢复特性，并且具有良好的响应可逆性，重复性和稳定性，能够填补目前市场上该类气体定量检测的空白，对于保障选矿厂浮选车间工作人员的生命健康安全具有重要意义。

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