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基底干燥方法、显影方法、光刻方法和基底干燥系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910722297.5
  • IPC分类号:G03F7/40;G03F7/30;G03F7/32
  • 申请日期:
    2019-08-06
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称基底干燥方法、显影方法、光刻方法和基底干燥系统
申请号CN201910722297.5申请日期2019-08-06
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-05-22公开/公告号CN111190331A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/40IPC分类号G;0;3;F;7;/;4;0;;;G;0;3;F;7;/;3;0;;;G;0;3;F;7;/;3;2查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人金伶厚;李根泽;赵庸真;高次元;朴晟见;李晓山;车知勋;崔秀瑛
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人陈亚男;尹淑梅
摘要
公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法,该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。

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