暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410013097.X
IPC分类号：C30B29/46;C30B29/62;C30B7/14;B82Y40/00
申请日期：
2014-01-10
申请人：
陕西师范大学

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专利名称	暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法
申请号	CN201410013097.X	申请日期	2014-01-10
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-05-07	公开/公告号	CN103774233A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	陕西师范大学	申请人地址	陕西省西安市长安南路199号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	陕西师范大学	当前权利人	陕西师范大学
发明人	杨合情;刘彬;赵桦
代理机构	西安永生专利代理有限责任公司	代理人	高雪霞

摘要

本发明公开了一种暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线的制备方法，采用简单的溶剂热法，制备出暴露高能（111）晶面且具有大的纵横比的立方相Cu2Se单晶纳米线，Cu2Se纳米线沿[-202]方向生长，纳米线的直径为142nm～1.1μm、长度为5.4～102μm。本发明操作简单，成本低，重复性和一致性好，所制备的暴露高能（111）晶面立方结构Cu2Se单晶纳米线可望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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