基于有限表面带隙拓扑绝缘体的材料界面光束IF位移系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201810195567.7
IPC分类号：G06F30/20
申请日期：
2018-03-09
申请人：
杭州电子科技大学

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专利名称	基于有限表面带隙拓扑绝缘体的材料界面光束IF位移系统
申请号	CN201810195567.7	申请日期	2018-03-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-10-02	公开/公告号	CN108614911A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/20	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;2;0查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州电子科技大学	当前权利人	杭州电子科技大学
发明人	曾然;唐龙;王驰;侯金鑫;胡淼;李齐良
代理机构	浙江千克知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了基于能流法计算反射光束在有限表面带隙的拓扑绝缘体上Imbert‑Fedorov位移的方法，该方法包括如下步骤第一步建立普通各向同性介质和各向同性有限带隙拓扑绝缘体的单界面模型；第二步确定边界和初始条件；第三步求取普通介质和手征介质的单界面上的透射系数和反射系数；第四步使用修正的能流法求取各个方向上的能流；第五步求取Imbert‑Fedorov(IF)位移。本发明能准确地分析普通介质和有限带隙拓扑绝缘体的单界面模型的横向位移特性，本发明有限表面带隙的拓扑绝缘体比较接近于实际的拓扑绝缘体材料的理论模型，作为测试模型比较有应用价值；同时为调控IF位移提供了新途径，为测量拓扑磁电极化性质提供了一种光学方法。

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