一种硫族半导体CdX复合H-TiO2基纳米管阵列的制备

发明专利有效专利

申请号：
CN201810789851.7
IPC分类号：B01J37/34;B01J27/04;B01J27/057;B01J37/18;B01J37/02;C25D11/26;C23F13/12;B82Y40/00;B82Y30/00;C02F1/30
申请日期：
2018-07-18
申请人：
河南工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种硫族半导体CdX复合H-TiO2基纳米管阵列的制备
申请号	CN201810789851.7	申请日期	2018-07-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-11-23	公开/公告号	CN108855246A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B01J37/34 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B01 一般的物理或化学的方法或装置 B01J 化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备〔2〕 B01J37/00 制备催化剂之一般方法；催化剂活化的一般方法〔4〕 B01J37/34 利用辐射，或利用电能、磁能或波能，例如超声波〔2〕	IPC分类号	B;0;1;J;3;7;/;3;4;;;B;0;1;J;2;7;/;0;4;;;B;0;1;J;2;7;/;0;5;7;;;B;0;1;J;3;7;/;1;8;;;B;0;1;J;3;7;/;0;2;;;C;2;5;D;1;1;/;2;6;;;C;2;3;F;1;3;/;1;2;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;C;0;2;F;1;/;3;0查看分类表>
申请人	河南工业大学	申请人地址	河南省郑州市高新技术产业开发区莲花街100号河南工业大学科技处变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河南工业大学	当前权利人	河南工业大学
发明人	刘世凯;周淑慧
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种硫族半导体CdX复合H‑TiO2基纳米管阵列的制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列；对所制备的TiO2纳米管有序阵列进行晶化处理后，再进行表面氢化处理，得到H‑TiO2基纳米管阵列；对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与硫族半导体CdX进行复合，制备得到一种硫族半导体CdX复合的H‑TiO2基纳米管阵列。该TiO2纳米管阵列复合材料原料廉价易得，制备方法简单，结构高度有序，拥有较高的比表面积，化学性能稳定，光催化性能较好，光转换率高，不仅可以作为光生阴极保护材料来使用，还可以作为光催化降解污染物材料来使用。

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