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一种硅基GaN外延生长结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201320411968.4
  • IPC分类号:H01L33/02;H01L33/14
  • 申请日期:
    2013-07-11
  • 申请人:
    四川海金汇光电有限公司
著录项信息
专利名称一种硅基GaN外延生长结构
申请号CN201320411968.4申请日期2013-07-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/02IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4查看分类表>
申请人四川海金汇光电有限公司申请人地址
四川省遂宁市创新工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川海金汇光电有限公司当前权利人四川海金汇光电有限公司
发明人罗锦贵
代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙)代理人冉鹏程
摘要
本实用新型公开了一种硅基GaN外延生长结构,包括硅衬底、缓冲层、第一N型GaN层、第二N型GaN层、多量子阱层、第一P型GaN层和第二P型GaN层,所述缓冲层覆盖在硅衬底上,第一N型GaN层覆盖在缓冲层上,第二N型GaN层覆盖在第一N型GaN层上,多量子阱层覆盖在第二N型GaN层上,第一P型GaN层覆盖在多量子阱层上,第二P型GaN层覆盖在第一P型GaN层上。本实用新型的结构具有高可靠性、高亮度的优点。

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