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用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910521980.2
  • IPC分类号:H01L23/055;H01L21/48
  • 申请日期:
    2019-06-17
  • 申请人:
    济南市半导体元件实验所
著录项信息
专利名称用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法
申请号CN201910521980.2申请日期2019-06-17
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-08-09公开/公告号CN110112105A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/055IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;0;5;5;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人济南市半导体元件实验所申请人地址
山东省济南市历下区和平路51号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人济南市半导体元件实验所当前权利人济南市半导体元件实验所
发明人刘贵庆;杨旭东;许为新;张振兴;相裕兵;伊新兵
代理机构济南诚智商标专利事务所有限公司代理人杨先凯
摘要
本申请提供了一种用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳,包括陶瓷基座,金属环框,金属盖板,下埋层金属化层,上埋层金属化层,表面金属化层,8个引脚,8个内通孔金属化柱,8个外凹槽金属化层;本申请还提供一种上述陶瓷外壳的制备方法;通过多层陶瓷与多层金属化及通孔金属化共烧、陶瓷金属化面与不同材料金属的同步焊接、多种材料的匹配组装以及银铜焊料在不同材料表面的润湿分布,实现了结构优化、材料优化以及加工工艺的优化与强强联合,使得提供的陶瓷外壳可用于封装双通道MOS管,能够原位替换SOP8塑封器件,且电阻更小、强度更高、可靠性更高、耐高温性能更好。

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