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半导体刻蚀孔内膜层及三维存储器结构的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011419075.5
  • IPC分类号:H01L27/1157;H01L27/11582
  • 申请日期:
    2020-12-07
  • 申请人:
    长江存储科技有限责任公司
著录项信息
专利名称半导体刻蚀孔内膜层及三维存储器结构的制备方法
申请号CN202011419075.5申请日期2020-12-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-04-06公开/公告号CN112614855A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/1157
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;8;2查看分类表>
申请人长江存储科技有限责任公司申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长江存储科技有限责任公司当前权利人长江存储科技有限责任公司
发明人何亚东;张莉;王新胜;刘力挽;王伟哲
代理机构北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)代理人高园园
摘要
本发明提供一种半导体刻蚀孔内膜层的制备方法及三维存储器结构的制备方法,刻蚀孔内膜层制备包括:提供具有刻蚀孔的半导体基底,在刻蚀孔中提供第一原料气形成初始材料膜层,通入第一吹扫气体进行第一吹扫;提供第二原料气,与初始材料膜层反应形成刻蚀孔填充膜层,通入第二吹扫气进行第二吹扫。本发明在孔内膜层制备的过程中引入吹扫气体吹扫的步骤,不仅可以基于第一原料气得到单原子层材料层,还可以在薄膜形成过程中将副产物通过简单的方式有效去除,工艺简单,利于提高器件性能。

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