离子注入机台中离子源头的结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201911353080.8
IPC分类号：H01J37/317;H01J37/08
申请日期：
2019-12-25
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	离子注入机台中离子源头的结构
申请号	CN201911353080.8	申请日期	2019-12-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-17	公开/公告号	CN111029235A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/317 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/30 物体局部处理用的电子束管或离子束管 H01J37/317 用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入（H01J 37/36优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;J;3;7;/;0;8查看分类表>
申请人	上海华力集成电路制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力集成电路制造有限公司	当前权利人	上海华力集成电路制造有限公司
发明人	谢石谦;丁杰;何春雷
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	栾美洁

摘要

本发明公开了一种离子注入机台中离子源头的结构，包括起弧室、反射极和纯钨小挡板，所述起弧室包括石墨端板和石墨腔主体，所述石墨端板形成有凹槽，所述石墨腔主体压装在所述纯钨小挡板和所述石墨端板上，所述石墨端板和所述纯钨小挡板的中心处均形成有通孔，所述纯钨小挡板和所述石墨端板之间设有第一绝缘挡板，所述纯钨小挡板和所述石墨腔主体靠近所述石墨端板的端部之间设有第二绝缘挡板，所述第一绝缘挡板和所述第二绝缘挡板的中心处均形成有供反射极的端子部穿过的通孔。本发明可以有效解决peeling发生时反射极与纯钨小挡板导通而导致反射极与起弧室之间导通的问题，从而延长离子源头的使用寿命以及机台的维修周期。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供