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像素结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910491396.7
  • IPC分类号:H01L27/32;H01L51/52;H01L51/00
  • 申请日期:
    2019-06-06
  • 申请人:
    友达光电股份有限公司
著录项信息
专利名称像素结构
申请号CN201910491396.7申请日期2019-06-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-08-27公开/公告号CN110176480A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/32IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;2;;;H;0;1;L;5;1;/;0;0查看分类表>
申请人友达光电股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人友达光电股份有限公司当前权利人友达光电股份有限公司
发明人谢宗錞
代理机构北京市立康律师事务所代理人梁挥;孟超
摘要
一种像素结构,包括第一电极、第二电极设置于第一电极的一侧以及像素定义层设置于第一电极及第二电极上。像素定义层具有第一开口及第二开口,且于垂直第一电极的法线方向上,第一开口与第二开口分别对应重叠第一电极与第二电极。第一开口具有第一区及第二区,且第一区的最大开口宽度小于第二区的最大开口宽度。第二开口具有第三区及第四区,且第三区的最大开口宽度小于第四区的最大开口宽度。像素定义层具有第一挡墙及第二挡墙。第一挡墙隔开第一开口的第一区与第二开口的第三区。第二挡墙隔开第一开口的第二区与第二开口的第四区。第一挡墙的最大宽度大于第二挡墙的最大宽度。

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