加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种湿法刻蚀监控方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010620680.9
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L21/00
  • 申请日期:
    2010-12-31
  • 申请人:
    常州天合光能有限公司
著录项信息
专利名称一种湿法刻蚀监控方法
申请号CN201010620680.9申请日期2010-12-31
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2011-07-20公开/公告号CN102130214A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人常州天合光能有限公司申请人地址
江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人常州天合光能有限公司当前权利人常州天合光能有限公司
发明人叶权华;杨文侃;杨延德
代理机构常州市维益专利事务所代理人王凌霄
摘要
本发明提供一种湿法刻蚀监控方法,包括如下步骤:第一步、用印刷或喷涂的方法在硅片表面的掩膜区制备出非掩膜区图形;第二步、把非掩膜区图形部分的掩膜刻蚀形成非掩膜区;第三步、用四探针探头测量非掩膜区的方块电阻,非掩膜区的方块电阻的阻值为90~160Ω。本发明利用在掩膜区挖出一定区域的非掩膜区,监控该非掩膜区的方块电阻来控制刻蚀工艺点,本发明可以使工艺控制有依据,方便对刻蚀过程的控制。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供