或非门逻辑电路及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810227463.6
IPC分类号：H03K19/20;H03K19/094;H01L27/02;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2008-11-25
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	或非门逻辑电路及其形成方法
申请号	CN200810227463.6	申请日期	2008-11-25
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-05-13	公开/公告号	CN101431330
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/20 按逻辑功能区分的，例如与、或、或非、非逻辑电路（H03K 19/003至H03K 19/01优先）	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;2;0;;;H;0;3;K;1;9;/;0;9;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	锐立平芯微电子（广州）有限责任公司	当前权利人	锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
发明人	徐静波;张海英
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	暂无

摘要

本发明涉及或非门逻辑电路及其形成方法。该或非门逻辑电路，包括两个输入端，分别用于接收输入电压信号；两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极分别耦接至两个输入端，其源电极分别耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电极、其源电极、以及两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或非门逻辑电路。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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