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功率半导体模块及其制造方法、电力变换器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480020428.0
  • IPC分类号:H01L23/36;H01L23/367
  • 申请日期:
    2014-04-08
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称功率半导体模块及其制造方法、电力变换器
申请号CN201480020428.0申请日期2014-04-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-06公开/公告号CN105229785A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/36IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人岡本健次
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人金光军;金玉兰
摘要
通过将功率半导体元件(4)接合于在上部具有凸状的阶梯部(12)的金属块(1)的上表面以外的各表面和该上表面的除了元件安装区域以外的部分直接形成了由陶瓷材料构成的绝缘层(2)的带绝缘层金属块(3)的元件安装区域,并将该带绝缘层金属块(3)嵌合并固定于金属板(5)的带凸檐贯通孔(17)内,能够制造低成本、散热性优良的功率半导体模块(100)。此外,通过具备该功率半导体模块(100)和散热器(11),并以使金属块(1)的下表面隔着绝缘层(2)与散热器(11)抵接的方式将功率半导体模块(100)固定于散热器(11),能够制造低成本、小型的电力变换器(300)。

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