互补场效应晶体管中的外延结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201810960672.5
IPC分类号：H01L27/092;H01L27/12;H01L21/8238
申请日期：
2018-08-22
申请人：
格芯公司

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专利名称	互补场效应晶体管中的外延结构
申请号	CN201810960672.5	申请日期	2018-08-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-28	公开/公告号	CN109817618A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/092 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/085 只包含场效应的组件〔5〕 H01L27/088 有绝缘栅场效应晶体管的组件〔5〕 H01L27/092 互补MIS场效应晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;9;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	格芯公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司	当前权利人	格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人	朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙;史帝文·本利;帕尼特·H·苏瓦纳
代理机构	北京戈程知识产权代理有限公司	代理人	程伟;王锦阳

摘要

本发明涉及互补场效应晶体管中的外延结构，揭示形成集成电路结构的方法，该集成电路结构包括延伸至衬底中的隔离元件，以及接触该隔离元件的第一晶体管的源/漏区。该隔离元件自该衬底延伸至该第一晶体管的该源/漏区中。隔离层接触该第一晶体管的该源/漏区，且第二晶体管的源/漏区也接触该隔离层。因此，该隔离层位于该第一晶体管的该源/漏区与该第二晶体管的该源/漏区之间。该第一晶体管的沟道区接触并延伸于该第一晶体管的该源/漏区之间，且该第二晶体管的沟道区接触并延伸于该第二晶体管的该源/漏区之间。栅极导体围绕该第一晶体管的该沟道区及该第二晶体管的该沟道区的侧面。

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