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金属氧化物半导体晶体管和其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510070731.4
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2005-05-18
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称金属氧化物半导体晶体管和其制造方法
申请号CN200510070731.4申请日期2005-05-18
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-01-18公开/公告号CN1722386
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人罗丞曜;林献钦
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所代理人刘新宇
摘要
本发明是一种金属氧化物半导体晶体管和其制造方法。所述金属氧化物半导体晶体管的制造方法,首先,提供一基底,基底上形成有栅极。以栅极为第一掩膜,布植基底。其后,形成至少两个第一间隙壁,分别邻接栅极的两侧。以栅极和第一间隙壁为第二掩膜,布植基底。接下来,形成至少两个第二间隙壁,分别邻接第一间隙壁。以栅极、第一间隙壁和第二间隙壁为一第三掩膜,反应暴露的基底,以形成至少两自对准金属硅化物区于基底中,其中自对准金属硅化物区是邻接第二间隙壁。本发明所述其金属氧化物半导体晶体管和其制造方法,具有较长的接面漏电路径,可减少漏电流。且可保护第一间隙壁的氧化层,以减少后续清洗制程对于氧化层所造成的损伤。

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