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具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200510054849.8
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/52
  • 申请日期:
    2005-03-16
  • 申请人:
    IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法
申请号CN200510054849.8申请日期2005-03-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-10-19公开/公告号CN1684244
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2查看分类表>
申请人IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司申请人地址
比利时勒芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人IMEC公司,NXP股份有限公司当前权利人IMEC公司,NXP股份有限公司
发明人R·达阿蒙;V·N·宏
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人李玲
摘要
提供了一种具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法。该方法所包括的步骤:沉积和图形化易处理层(PR),在图形化的易处理层(PR)上沉积第一障碍层(BL1),沉积金属层(M1),平整所述金属层(M1),沉积第二障碍层(BL2),平整所述第二障碍层(BL2)直至在所述易处理层(PR)上基本没有任何障碍层材料,沉积可浸透性层(PDL),通过所述可浸透性层(PDL)去除所述易处理层(PR)以形成空气间隙(AG)。

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