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具有载流子注入的硅发光器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200880115897.5
  • IPC分类号:H01L33/00;H01L27/15
  • 申请日期:
    2008-10-08
  • 申请人:
    因西亚瓦(控股)有限公司
著录项信息
专利名称具有载流子注入的硅发光器件
申请号CN200880115897.5申请日期2008-10-08
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-10-06公开/公告号CN101855736A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人因西亚瓦(控股)有限公司申请人地址
南非比勒陀利亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人因西亚瓦(控股)有限公司当前权利人因西亚瓦(控股)有限公司
发明人M·杜普莱希斯
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人刘倜
摘要
一种发光器件(10)包括间接带隙半导体材料的第一主体(12)。在该主体内的第一结区域(18)形成在该主体的第一掺杂类型的第一区域(12.1)和该主体的第二掺杂类型的第二区域(12.2)之间。在该主体内的第二结区域(20)形成在该主体的第二区域和该主体的第一掺杂类型的第三区域之间。所述第一和第二结区域彼此间隔开不超出少数载流子扩散长度。将端子布置连接到该主体的第一、第二和第三区域,以在使用时用于将第一结区域反向偏置为雪崩或场发射模式,和用于将第二结区域正向偏置以将载流子注入到第一结区域中。隔离材料的第二主体(22)位置紧邻所述第三区域的至少一个壁,从而减少来自所述第三区域的寄生注入。

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