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背接触晶体硅太阳能电池片制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110141259.4
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2011-05-27
  • 申请人:
    苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
著录项信息
专利名称背接触晶体硅太阳能电池片制造方法
申请号CN201110141259.4申请日期2011-05-27
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-11-28公开/公告号CN102800742A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司申请人地址
江苏省盐城市经济技术开发区黄浦江路66号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盐城阿特斯阳光能源科技有限公司当前权利人盐城阿特斯阳光能源科技有限公司
发明人章灵军;张凤;吴坚;王栩生
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮;李辰
摘要
本申请公开了一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法,包括:对开孔、制绒后的半导体基片进行扩散,对扩散后半导体基片进行处理后得到背接触晶体硅太阳能电池片,还包括:扩散前,在制绒后半导体基片的任一表面上生成阻挡层,以避免扩散时在阻挡层所在的面上进行扩散;扩散后,去除扩散后半导体基片上的阻挡层。该方法在对半导体基片进行扩散前,通过在半导体基片的背光面生成阻挡层,可以避免在背光面进行扩散形成P-N结。与现有技术相比,该方法可以减少激光隔离工序,降低了电池片漏电风险,并且使得电池片的碎片率大幅度降低。另外,减少激光隔离工序,使得工艺更加简单,并减少了设备成本,有利于大规模工业化生产。

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