加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

用于FINFET的源极和漏极工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610729819.0
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/08
  • 申请日期:
    2016-08-26
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称用于FINFET的源极和漏极工艺
申请号CN201610729819.0申请日期2016-08-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-07-07公开/公告号CN106935507A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人张哲诚;林志翰;曾鸿辉
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
FinFET包括衬底、鳍结构、介电层、金属栅极、两个间隔件、源极和漏极。该鳍结构设置在衬底上。该介电层设置在鳍结构上并且覆盖鳍结构的两个相对侧面。该介电层包括突出于鳍结构的侧面的两个第一部分,从而使得在介电层中形成两个相对第一凹槽。金属栅极设置在介电层的夹在第一部分之间的第二部分上。该间隔件设置在介电层的第一部分上并且分别突出于介电层的第一部分,从而使得在间隔件中形成两个第二凹槽。源极和漏极分别设置在衬底上的第一凹槽和第二凹槽中。本发明的实施例还涉及用于FinFET的源极和漏极工艺。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供