半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201880022576.4
IPC分类号：H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62
申请日期：
2018-03-27
申请人：
LG伊诺特有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN201880022576.4	申请日期	2018-03-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-15	公开/公告号	CN110462835A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	LG伊诺特有限公司	申请人地址	江苏省苏州市太仓市常胜北路168号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州乐琻半导体有限公司	当前权利人	苏州乐琻半导体有限公司
发明人	林祐湜;徐在元;崔珍熲;成演准;金钟贤;金会准
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	石海霞

摘要

一实施例提供了一种半导体器件，包括：发光结构，发光结构包括设置在一侧的多个第一发光部以及设置在另一侧的多个第二发光部；多个第一连接电极，配置为电连接多个第一发光部；多个第二连接电极，配置为电连接多个第二发光部；第一焊盘，设置于多个第一发光部上；第二焊盘，设置于多个第二发光部上。第一焊盘包括朝向第二焊盘延伸的多个1‑2焊盘。第二焊盘包括朝向第一焊盘延伸的多个2‑2焊盘。第一连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个1‑2焊盘之间的区域。第二连接电极沿发光结构的厚度方向包括位于多个2‑2焊盘之间的区域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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