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一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510260595.9
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/28
  • 申请日期:
    2015-05-20
  • 申请人:
    青岛大学
著录项信息
专利名称一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法
申请号CN201510260595.9申请日期2015-05-20
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2015-09-23公开/公告号CN104934327A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人青岛大学申请人地址
山东省青岛市市南区宁夏路308号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人青岛大学当前权利人青岛大学
发明人单福凯;刘奥;刘国侠
代理机构青岛高晓专利事务所代理人张世功
摘要
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域,涉及一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法;先将硝酸钪溶于去离子水中并搅拌形成前驱体溶液后旋凃于清洗过的低阻硅衬底表面,旋涂厚度5-10nm,再将旋涂产生的薄膜烘焙和退火得到Sc2O3薄膜样品,然后将硝酸锌和硝酸铟分别溶于去离子中并搅拌形成IZO水性溶液后旋涂于Sc2O3薄膜样品表面,再将旋涂后的薄膜样品固化处理后低温退火,得到IZO沟道层;最后采用真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在IZO沟道层上制备金属源、漏电极,即得到薄膜晶体管;其总体实施方案成本低,工艺简单,原理可靠,产品性能好,制备环境友好,应用前景广阔,可大面积制备高性能薄膜晶体管。

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